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首款应用于太空领域的陶瓷密封DDR2内存问市

2019-07-05来源: EEWORLD关键字:DDC  SDRAM  陶瓷封装

——翻译自DDC官网

 

美国数据设备公司(DDC)推出首个用于太空领域的CCGA封装的抗辐射DDR2 SDRAM,此款产品是对DDC高密度空间级陶瓷密封存储器的最新补充,其中包括闪存NAND/NOR、SDRAM、SRAM和EEPROM解决方案。新款DDR2(97D2H)在一个紧凑的CCGA封装中提供高达8GB的SDRAM,为长期使用和易于设计提供了一个高度可靠和灵活的内存解决方案。密封陶瓷封装的辐射容错剂量TID(>100 krad orbit/mission dependent),以及在单粒子效应中(无闩锁效应[1])提供了出色的辐射耐受能力,而通用封装提供多种密度和数据宽度选项,以简化电路板设计、系统集成和错误纠正。

 

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特点:

 

·高性能

 

极速赛车手机官网提供更高速度的SDRAM (400mhz),以增加内存吞吐量和最大限度地提高应用程序效率

 

·高可靠性

 

密封陶瓷CCGA封装,使用时间长、易于设计;

出色的辐射耐受容错量(>100 krad** dependent on mission)和单粒子效应(无闩锁效应);

完整的模具批次可追溯性和模具批次TID测试可确保每个零件的一致,可靠的性能;从“工程类”到“飞行类”的筛选流程提供了多种选择,使用户的预算任务需求上得到相应的匹配;

 

灵活性的设计/易用性

 

适用于多种密度和数据宽度的通用紧凑型封装,简化了电路板设计和系统集成;

在单独的CCGA封装中最多可达8GB,占用空间小(1。1英寸x 0。717英寸)和325 in);

 

宽数据总线选项(x8, x16, x32, x48, x64, x80),用于简单的连接到抗辐射的 FPGA, ASIC和处理器,支持实现各种纠错方案;

 

“DDC的密封陶瓷DDR2代表了下一代空间级SDRAM,提供了最高辐射容错(>100 krad),同时具有广泛的数据总线选项。”——DDC业务经理Dan Veenstra介绍。



[1] Latch up 是指cmos晶片中, 在电源power VDD和地线GND(VSS)之间由于寄生的PNP和NPN双极性BJT相互影响而产生的一低阻抗通路, 它的存在会使VDD和GND之间产生大电流;随着IC制造工艺的发展, 封装密度和集成度越来越高,产生Latch up的可能性会越来越大;Latch up 最易产生在易受外部干扰的I/O电路处, 也偶尔发生在内部电路;Latch up 产生的过度电流量可能会使芯片产生永久性的破坏, Latch up 的防范是IC Layout 的最重要措施之一。


关键字:DDC  SDRAM  陶瓷封装

编辑:muyan 引用地址:http://www.1900222.com/qrs/ic466845.html
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